반도체 소재
반도체 무기소재
SEMICONDUCTOR PRECURSOR
Hafnium/Zirconium Ceramics
HBM용 고유전체 산화물 박막 형성을 위한 고순도 HfCl4 / ZrCl4합성
Hafnium/Zirconium Ceramics
Application
I. Deposition process
ALD 원자층 증착법
CVD 화학 기상 증착법
II. High Bandwidth Memory
다수의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다
데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올림
III. High-K Metal Gate
HKMG 공정
Capacitor, Transistor
SEMICONDUCTOR PRECURSOR
Hafnium/Zirconium Ceramics
HBM용 고유전체 산화물 박막 형성을 위한 고순도 HfCl4 / ZrCl4합성
Hafnium/Zirconium Ceramics
Application
I. Deposition process
ALD 원자층 증착법
CVD 화학 기상 증착법
II. High Bandwidth Memory
다수의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다
데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올림
III. High-K Metal Gate
HKMG 공정
Capacitor, Transistor
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| 주 소 | 광주광역시 북구 첨단벤처로 16번길 23, ㈜포스포 (우 61009) |
| 전 화 | 062-973-9061 |
| 팩 스 | 062-973-9062 |
| 이메일 | force4@force4.co.kr |
Copyright ⓒ 2025 포스포 All rights reserved.
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